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Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性

Strong Photoluminescence From Si1-xGex/Si Quantum Wells on Non-Planar Si Substrate

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【作者】 杨沁清； 钱毅； 董文甫； 王启明； 崔堑； 黄绮； 周钧铭；

【Author】 Yang Qinqing; Qian Yi; Dong Wenfu and Wang Qiming(Institute of Semtconductors, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083)Cui Qian; Huang Yi and Zhou Junming(Institute of Physics, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080)Received 24 October 19

【机构】 中国科学院半导体研究所!北京； 100083； 中国科学院物理研究所!北京； 100080；

【摘要】 采用一种晶向性腐蚀方法，在（100）Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构，经SiGeMBE外延后，从SEM照片上可以看出，SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构．非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍．从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％，且m≈1．1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的．随着激发功率的增加，可以看到PL谱的蓝移．

【Abstract】 Non-planar structure was prepared on (100) Si substrate by using an-isotropicetching solution. After growth of SiGe layer in SS-MBE system, cross-section structureshown by SEM pictures tells that the epi-layer consists of dots, wires and well structure.The PL intensity from non-planar structure of SiGe is 8~10 times as large as that fromplanar ones,The emission of more than 96% from SiGe layer and m=1.1 mean that thequality and carrier collection efficiency of SiGe layer are both high. Blue shift is seen in PLspectra as the excitation power increases.

【关键词】 SiGe/Si； 非平面； 光致发光特性； 外延层； 晶向； 量子阱； 量子点； 发光效率； 量子限制效应； 复合发光；
【基金】 国家“863”计划光电子主题的资助
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1997年01期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】36
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