【作者】 熊大菁; 江思思; 姜宏;
【机构】 清华大学微电子学研究所;
【摘要】 超薄SiO2膜经快速热处理(RapidThermalProcesing——RTP)后,电特性得到了改善,本研究用超薄RTPSiO2膜制作MOS电容、h-NMOSFET中作栅介质层及FLOTOX-E2PROM中作隧道氧化层,取得了一些实验结果,从结果中可以看出具有实用价值。更多还原