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FLOTOX-E~2PROM阈值电压的研究

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【作者】 熊大菁；

【机构】 清华大学微电子所；

【摘要】 本文讨论了理想情况下ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ２ＰＲＯＭ在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化，并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。模拟结果表明用适当的斜坡脉冲电压可延长ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ２ＰＲＯＭ的寿命

【关键词】 浮栅隧道氧化层； 电可擦写存储器； 阈值电压；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1997年03期
  • 【分类号】TP333
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