【作者】 刘峥; 翟富义; 张椿; 尤重远;
【机构】 北京有色金属研究总院;
【摘要】 硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥,翟富义,张椿,尤重远(北京有色金属研究总院100088)关键词:硅片,背损伤,雾缺陷,吸除作用(一)引言双极型与NMOS集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题,它是指经过高温(大于1050℃)氧化后的p...更多还原