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砷化镓半导体外延层的电子声成像

Electron-Acoustic Microscopic Study of GaAs Epitaxial Layers

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【作者】 张冰阳； 江福明； 殷庆瑞； 惠森兴； 姚烈； 杨阳； 高鸿楷； 何益民； 侯洵；

【Author】 Zhang Bingyang,Jiang Fuming,Yin Qingrui,Hui Senxing,Yao Lie,Yang Yang (Laboratory of Functional Inorganic Materials,Shanghai Institute of Ceramics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai,200050) Gao Hongkai,He Yimin,Hou Xun (Laboratory

【机构】 中国科学院上海硅酸盐所!上海200050； 中国科学院西安光机所!西安市八十号信箱710000； 中国科?；

【摘要】 本实验利用扫描电子声显微镜对CaAs半导体外延片生长缺陷进行了电子声成像。通过分析不同条件下获得的电声图像,讨论了CaAs半导体外延片在电声成像中其电声信号的产生机制。实验结果显示这种成像技术在半导体材料微观分析与评价中具有巨大的应用前景

【Abstract】 Scanning electron microscope has been used to study the growth defects in GaAs epitaxial layers.The mechanism of electron acoustic signal formation in GaAs has been discussed.The results indicate this technique is promising in semiconductor material analyses and assessment.

【关键词】 SEAM； 砷化镓； 缺陷；
【Key words】 SEAM； GaAs； Defect.；
【基金】 “8 6 3”高技术和国家自然科学基金资助项目
  • 【文献出处】 分析测试学报 ,Journal of Instrumental Analysis , 编辑部邮箱 ,1996年06期
  • 【分类号】TN304
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