节点文献

监测CMOSIC关键失效的微电子测试结构

Microelectronic Test Structures for Appraising Key Failures in CMOS IC’s

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 张安康；

【Author】 ZHANG Ankang(Southeast University, Nanjing, Jiangsu 210096)

【机构】 东南大学；

【摘要】 介绍了ＣＭＯＳＩＣ的静电放电微电子测试结构，叙述了双极－ＭＯＳ兼容的闭锁效应和闭锁滞后现象的微电子测试结构，并对测试结果进行了讨论。

【Abstract】 Electrostatic discharge test structures for CMOS IC’s are presented. Microelectronic test structures for latch-up effeet in bipolar-MOSFET merged devices and for latch-up hysteresis phenomenon are described. Finally,test results are discussed.

【关键词】 集成电路； 可靠性； 电路测试； 微电子； 失效； 闭锁；
【Key words】 IC； Microelectronic test structure； CMOS； Latch-up effect； Failure mechanism；
  • 【文献出处】 微电子学 ,MICROELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1996年01期
  • 【分类号】TN406
  • 【下载频次】51
打印本页
节点文献中：