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射频溅射制备α－Ge／SiO2多层膜

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【作者】 崔敬忠； 彭军； 张兴旺； 陈光华； 张仿清；

【机构】 兰州大学物理系；

【摘要】 射频溅射制备α－Ｇｅ／ＳｉＯ２多层膜崔敬忠彭军张兴旺陈光华张仿清（兰州大学物理系，兰州７３００００）由于在非晶太阳能电池和半导体器件方面的重要性，α－Ｇｅ和α－ＳｉＯ２得到了深入的研究［１，２］．近年来，用共溅射的方法制备的Ｇｅ／ＳｉＯ２纳米材料由...

【关键词】 溅射制备； Ge； 大学物理； 半导体器件； 陈光华； 纳米材料； 射频溅射； 共溅射； 崔敬； 彭军；
  • 【文献出处】 兰州大学学报 ,Journal of Lanzhou University , 编辑部邮箱 ,1996年02期
  • 【分类号】O648.22
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