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晶体三极管特性曲线——VcE=OV与VcE>1V的区别

THE CHARACTERISTIC CURVES OF TRANSISTOR TRIODE——THE DIFFERENCES BETWEEN VCE.= 0V AND VCE>1V

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【作者】 李升潜； 李升源；

【Author】 Li Shengqian Li Shengyuan

【机构】 赣南医学院附属医院!赣州341000； 南方冶金学院自动化系!赣州341000；

【摘要】 对晶体三极管输入特性进行分析,利用电流表、电压表测量,证实当VCE=0V时,集电极比发射极先导通;当VCE>1V时,晶体管处于放大状态.

【Abstract】 The authors studies the input characteristic of transistor triode with galvanometer and voltmeter,and proves that undetr Vc_E = 0V the collector occurs electric current bdfore the emitter,and transistor triode is in magnifying state under Vc_E>lV.

【关键词】 三极管输入特性； PN结； 势垒高度；
【Key words】 transistor trodel input characteristic ,P-N junction； electric field intensity；
  • 【文献出处】 赣南师范学院学报 ,Journal of Gannan Teacher’s College , 编辑部邮箱 ,1996年06期
  • 【分类号】TN32
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