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硅基上直流反应磁控溅射沉积优质ZnO薄膜及其性能研究

Preparation and Characterization of High-Quality ZnO Film on Silicon Substrate by DC Reactive Magnetron Sputtering

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【作者】 李剑光； 叶志镇； 赵炳辉； 袁骏；

【Author】 Li Jianguang;Ye Zhizhen; Zhao Binghui and Yuan Jun (State Key Asb.of Silicon Materials,Zhejiang University, Hangzhou 310027)Received 10 March 1996, revised manuscript received 4 May 1996

【机构】 浙江大学硅材料国家重点实验室；

【摘要】 本文报道采用改进的磁控Ｓ枪，利用直流反应磁控溅射技术，通过合理地控制调节，已成功地在硅衬底上制备出Ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ纳米级材料，其Ｘ射线衍射半高宽仅为０．７°．在用ＸＲＤ，ＸＰＳ等手段对其成份、结构分析的基础上，进一步对其反应溅射过程进行了研究．

【Abstract】 Abstract High-quality 2nO films were prepared on silicon substrate by DC reactive magnetron sputtering. The films were characterized by X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS)and X-ray Diffraction(XRD) analysis. The nano-ZnO films grow at C axis orientation and the full width at half maxium (FWHM) is only about 0. 7°.

【关键词】 ZnO； 硅衬底； 半高宽； 纳米级材料； 晶粒尺寸； 晶向； 结构分析； 半导体材料； 实验装置图； 表面分析仪；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1996年11期
  • 【分类号】TN304.25
  • 【被引频次】36
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