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注Si＋热氧化SiO2薄膜的蓝光发射及其退火特性

Blue Luminescence and Annealing Characteristic of Si￣+-Implanted SiO2 Films on Crystalline Silicon

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【作者】 廖良生； 鲍希茂； 郑祥钦； 李宁生； 闵乃本；

【Author】 Liao Liangsheng; Bao Ximao; Zheng Xiangqin; Li Ningsheng and Min Naiben(Department of Physics and National laboratory of Solid StateMicrostructures, Nanjing University, Nanjing 210083)Received 25 Juny 1995

【机构】 南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室；

【摘要】 对单晶硅片上热生长的ＳｉＯ２薄膜注入Ｓｉ＋，注入能量为１２０ｋｅＶ，剂量为２×１０１６ｃｍ－２．在～５．０ｅＶ的光子激发下，注Ｓｉ＋氧化膜可生产～２．７ｅＶ的蓝光发射．在退火处理中，发光强度先随退火温度上升而增大，在５００～６００℃时达到最大值，此后逐渐减小．这种蓝光发射是由于注入的过剩Ｓｉ引起氧空位缺陷而产生的．

【Abstract】 Abstract Thermally grown SiO2 films on crystalline silicon wafers were implanted with Si+ at an energy of 120 keV and with a dose of 2×1016cm-2, Under excitation of 5. 0 eV photons, the St+-implanted SiO2 films exhibit blue luminescence peaked at about 2. 7eV.The peak intensity increases as annealing temperature and reaches its maximum at 500～600℃, and then decreases when the annealing temperature is higher than 600C. The blueemission is caused by oxygen vacancies in the films.

【关键词】 SiO2； 蓝光发射； 热氧化； 光子激发； 注入能量； 发光强度； 单晶硅片； 退火温度； 氧空位； 大学物理；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1996年10期
  • 【分类号】O649.4
  • 【被引频次】8
  • 【下载频次】71
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