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衬底正偏的MOSFET的近似模型

Analytic Model of MOSFET Under Positive Substrate Bias

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【作者】 陈萍； 李志坚； 刘理天；

【Author】 Chen Ping; Li Zhijian and Liu Litian(Microelectronics of Institute, Tsinghua University,Beijing 100084)Received 30 March 1995,revised manuscrip received 16 August 1995

【机构】 清华大学微电子学研究所；

【摘要】 本文针对衬底正偏的ＭＯＳＦＥＴ的解析模型进行了讨论．在已有ＭＯＳＦＥＴ理论基础上，仅引入一个参数ξ，便得到了全偏压范围的ＭＯＳＦＥＴ的解析表达式的通式．当ξ＝１时，该表达式与已知的衬底负偏的ＭＯＳＦＥＴ的表达式相同；当ξ＝０．８时，可得到衬底正偏的ＭＯＳＦＥＴ的近似解析式．实验结果验证了该模型的正确性．

【Abstract】 Abstract In this paper,We emphasize the analytic model of MOSF.ET under positive substrate-source bias. Based on conventional theory of MOSFET,we have introduced a parameter in the general expression for MOSFET characteristics.It can be used in bothnegative bias and positive substrate bias:ξ=1 for negative bias and ξ=0.8 for positivebias.The validity of the model is proven by experimental results.

【关键词】 解析模型； 正偏； 近似模型； 参数提取； 近似表达式； 栅长； 近似解析； 沟道长度； 解析表达式； 短沟效应；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1996年08期
  • 【分类号】TN386.1
  • 【被引频次】3
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