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在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格

Ge/Si Superlattices Grown on thin Relaxed GeSi Alloy Buffer with Ge Islanding Buried Layer

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【作者】 盛篪； 周铁城； 龚大卫； 樊永良； 王建宝； 张翔九； 王迅；

【Author】 Sheng Chi;Zhou Tiecheng; Gong Dawai; Fan Yongliang;Wang Jianbao; Zhang Xiangjiu and Wang Xun (State Key Lab. Of Applied Surface Physics, Fudan University, Shanghai 200433)

【机构】 复旦大学应用表面物理实验室；

【摘要】 利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的．

【Abstract】 Abstract A thin Ge islanding film inserted between SiGe buffer layer and Si substrate may greatly reduce the necessary buffer thickness to 100￣200 urn maintaining the same good crystal quality.A very favorite property of a Ge4/Si6 short-period superlattices successively grown on the 150 urn GeSi alloy buffers with 1 nm Ge islanding layer inserted shows that the Ge island method is valid.

【关键词】 超晶格； SiGe； 缓冲层； 集成电路工艺； 淀积； 半导体材料； 晶体质量； 岛状； 应变层； 外延材料；
【基金】 国家自然科学基金,博士点基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1996年01期
  • 【分类号】TN304.105
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】47
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