【作者】 黄焕章； 张敏；
【机构】 上海冶金研究所微电子学分部；
【摘要】 详细地讨论和比较了三大类硅化结形成方法（ＰＪＳ，ＤＤＯ，ＩＴＭ）特别是后两种方法的原理及优、缺点，并分析了硅化结形成方法的未来发展趋势。更多还原
