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氢化非晶硅(a-Si:H)光电导研究中的新现象

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【作者】 施伟华； 陈坤基； 杜家方； 李志锋；

【机构】 南京大学物理系固体微结构物理实验室； 南京大学物理系固体微结构物理实验室 南京210008南京邮电学院物理教研室； 南京210003； 南京210008； 南京210008；

【摘要】 <正>本文研究衬底温度(T_s)从室温至623K生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系.首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a-Si:H的T_s的降低系统地移向较低温度区.光电导特性是衡量非晶态半导体的一个重要参数,因为它不仅涉及到载流子的激发、俘获、复合等过程,而且与载流子的输运特性紧密联系.一些研究小组在研究结论中指出a-Si:H薄膜的光电导对于其生长参数很敏感,如掺杂浓度、生长中的射频功率等.但尚未见系统

【关键词】 氢化非晶硅； 光电导； 热淬灭；
【基金】 国家自然科学基金资助项目
  • 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,1995年16期
  • 【分类号】TN304
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