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银基体对Bi2223厚膜生长的影响

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【摘要】 <正>为了提高超导材料的临界电流密度,实现高T_c超导材料的强电应用,人们通过改变样品制备工艺已获得了具有高度C-轴取向的织构样品.对Bi系来说,使用银包套的方法取得了良好的效果,Li等人制出了77K,零场下J_c高达6.9×10~4A/cm~2的样品,在提高临界电流密度过程中,人们着重于研究中间冷压、热压以及烧结工艺过程等,期望获得更好的织构度、更高的致密度、微裂纹少、孔隙率低的样品.虽然银层对超导微结构和载流性能的影响引起人们的注意,但研究银基材对Bi2223厚膜生长过程影响的文章报道很少.本文通过对Bi2223银夹板厚膜制备过程中厚膜微结构的分析,研究了银基材对Bi2223厚膜生长的影响.

【关键词】 银基体Bi2223厚膜界面
【基金】 国家超导中心资助项目
  • 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,1995年12期
  • 【分类号】O484.1
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】14
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