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SiO2/SiO界面能级位移光电子能谱的研究

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【作者】 陈立春； 邓振波； 徐叙瑢； 刘先明；

【机构】 天津理工学院材料物理研究所； 中国科学技术大学表面分析开放实验室 天津300191； 天津300191； 合肥230026；

【摘要】 <正>我们在薄膜电致发光（TFEL）器件中使用予热层、加速层及发光层分层优化的方案,予热层除提供电子外,SiO2/SiO界面的能级位移将决定薄膜场致发光器件中予热能否奏效.尽管半导体界面能级位移的研究已相当成熟,对于较好的研究体系,界面能级位移的研究结果误差不超过0.2～0.3eV,但像SiO2/SiO界面能级位移的研究很少,因为SiO2,SiO是非晶,它们的组分又比较复杂,SiO2和SiO之间界面的偶极矩难以确定,因而利用计算方法确定这种

【关键词】 光电子能谱； 界面； 能带位移；
【基金】 中国科学技术大学表面分析开放实验室;国家自然科学基金;天津市21世纪青年科学基金资助项目
  • 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,1995年02期
  • 【分类号】O482.31
  • 【被引频次】1
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