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双段式PBC型1.3μmInGaAsP超辐射发光二极管

PBC1.3μm InGaAsP Super Luminescent Diode with Two Sections

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【作者】 赵玲娟余金中刘德钧杨亚丽郭良王丽明张晓燕

【机构】 中科院半导体研究所

【摘要】 本文报导了1.3μm超辐射发光二极管的研究成果。室温下,驱动电流为150mA时,单管输出功率可达4.3mW,光谱半宽为21um。

【关键词】 InGaAsP发光二极管
  • 【文献出处】 激光与红外 ,LASER & INFRARED , 编辑部邮箱 ,1995年04期
  • 【分类号】TN383
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