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非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究

STUDY ON DISTRIBUTION CHARACTERISTICS OF EL2 IN UNDOPED LEC SI GaAs

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【作者】 杨瑞霞； 付濬； 李光平；

【Author】 Yang Ruixia Fu Jun(Hebei Institute of Technology, Tianjin 300130)Li Guangping(Tianjin Electronic Materials Research Institute, Tianjin 300192)

【机构】 河北工学院电子工程系； 天津电子材料研究所 天津 300130； 天津 300130； 天津 300192；

【摘要】 测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。

【Abstract】 The changes in the concentration and distribution of EL2 in undoped LEC SI GaAs caused by various annealing conditions were measured. The distribution of dislocation and precipitation of As were also measured for analyzing these changes. The origin of the inhomogeneity of EL2 distribution and the mechanism which improves the homogeneity of EL2 distribution by annealing are discussed on the basis of the experimental results.

【关键词】 EL2； 位错； AS沉淀； 浓度分布；
【Key words】 EL2； Dislocation； Precipitation of As； GaAs concentration distribution；
  • 【文献出处】 电子科学学刊 , 编辑部邮箱 ,1995年01期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】7
  • 【下载频次】47
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