【作者】 卓伟； 刘光廷； 张国忠；
【机构】 东南大学微电子中心；
【摘要】 介绍了ＩＧＢＴ的结构设计及终端设计，利用ＳＤＢ技术制备所需ＮＮ￣＋Ｐ￣－基片，设计了合适的工艺流程，制备出１０００Ｖ／２０Ａ的ＩＧＢＴ器件。最后给出测试结果。更多还原
