【摘要】 Cr:Mg₂SiO₄晶体作为一种新的激光基质,以其独特的性能,引起了广泛的关注.在该晶体中,铬离子的分凝系数很小,因此在用提拉法生长的Cr:Mg₂SiO₄晶体中,铬离子存在轴向浓度梯度;在凸界面生长的晶体中,晶体的生长界面上出现小面,由于小面和非小面区域的反常分凝等原因,造成晶体中铬离子浓度的经向分布不均,在小面与非小面的交界处存在着较大的浓度梯度,造成晶体中宏观缺陷的出现.Cr:Mg₂SiO₄晶体中,铬离子主要表现为两种形式:Cr³⁺和Cr⁴⁺.不同的生长气氛决定着晶体中两种离子的比例.在晶体中,Cr³⁺离子取代Mg²⁺离子,Cr⁴⁺离子取代Si⁴⁺离子.在氧化性气氛下退火不能使晶体中的Cr³⁺离子氧化成Cr⁴⁺离子.更多还原

【Abstract】 The distribution cofficient of chromium ion in the forsterite czystal grown by Crochralski method is very small. So in the longitudinal direction,the concentration of chromium ion is different. Also,because of the facet and non-factet area exist, the concentration of chromium ion on the radial direction is inhomogenous. The relative concentration of Cr3+ and Cr4+ ions is determined by the growing atmosphere.更多还原