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键合Si／SiO2／Si结构的C－V特征

C-V Characterization of Bonded Si/SiO2/Si Structures

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【作者】 黄庆安； 陈军宁； 张会珍； 童勤义；

【Author】 Huang Qing’an; Chen Junning; Zhang Huizhen and Tong Qinyi(Microelectronics Center, Southeast, University, Nanjing 210018)

【机构】 东南大学微电子中心；

【摘要】 本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特征，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验．

【Abstract】 Abstract Capacitance-Voltage(C-V) characteristics of an ideal Si/SiO2/Si structure have been investigated. A method of measuring thickness of SiO2, doping level of both substrate, and fixed charge density within SiO2 is proposed by using C-V curves of the Si/SiO2/Si structure. Experimental results of a bonded Si/SiO2/Si structure are given.

【关键词】 特征测量； SiO2； 绝缘体上硅； 强反型； 表征技术； 重掺杂； 耗尽层； 界面特性； 点对应； 键合界面；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1994年05期
  • 【分类号】TN303
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】86
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