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短沟道CMOS器件在液氮温区的特性比较与分析

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【作者】 何晓阳； 朱荣锦； 许康；

【机构】 中国科学院上海冶金研究所微电子学分部；

【摘要】 本文主要对两种不同的常规工艺条件下制备的短沟道ＣＭＯＳ器件在室温和液氮温区的场效应迁移率、跨导、亚阈和高频特性进行比较和分析，结果发现ＨＣＭＯＳⅡ型ＰＭＯＳ管在７７Ｋ下的工作特性比ＨＣＭＯＳⅠ型的好，而相应的ＮＭＯＳ管特性却变得很差，这主要是由于电离杂质散射增强的缘故。为此我们提出一种既适于室温工作又能在液氮温区充分发挥优点的新型短沟道ＣＭＯＳ器件。

【关键词】 CMOS器件； 液氮温区； 场效应； 跨导； 高频特性； 杂质散射； 低温迁移率； 特性比； 常规工艺； 栅压；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1994年02期
  • 【分类号】TN386.1
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