节点文献

质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究

Initial Study on Mass-analysed Low Energy Ion Beam Epitaxiai Ultrathin Silicon Film

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 黄大定； 姚振钰； 壬治璋； 王向明； 刘志凯； 秦复光；

【Author】 Huang Dading/Semiconductor Material Science Laboratory, Institute of Semiconductors, Academia Sinica Beijing 100083Yao Zhenga/Semiconductor Material Science Laboratory, Institute of Semiconductors, Academia Sinica Beijing 100083Ren Zhizhang/Semiconductor Material Science Laboratory, Institute of Semiconductors, Academia Sinica Beijing 100083Wang Xiangming/Semiconductor Material Science Laboratory, Institute of Semiconductors, Academia Sinica Beijing 100083Liu Zhikai/Semiconductor Material Science Laboratory, Institute of Semiconductors, Academia Sinica Beijing 100083Qin Fuguang/Semiconductor Material Science Laboratory, Institute of Semiconductors, Academia Sinica Beijing 100083

【机构】 中国科学院半导体研究所、半导体材料科学实验室； 中国科学院半导体研究所、半导体材料科学实验室 北京 100083； 北京 100083； 北京 100083；

【摘要】 采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。

【Abstract】 An ultrathin silicon epitaxy growth has been carried out by the Mass-analysed Low EnergyIon Beam Epstaxial technology. (MALE-IBE). We have grown monocrystalline siliconfilms, which are 2000 A in thinkness and less than 500A in transition width. They have goodelectrical properties.

【关键词】 外延层； 低能离子束； 硅单晶； 过渡区； 淀积； 生长工艺； 外延技术； 扩展电阻； 同质外延； 电学性质；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1993年08期
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】22
打印本页
节点文献中：