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GaAs/Ga0.7Al0.3As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应

Electro-Optical Bistability and Multistability Effects in GaAs/Ga0.7Al0.3As Short-Period Superlattices

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【作者】 张耀辉； 江德生； 李锋； 吴荣汉； 周均铭； 梅笑冰；

【Author】 Zhang Yaohui/National Laboratory for Semiconductor Superlcttices and microstructures, Institute of Semiconductors, Academia Sinica,Beijing 100083Jiang Desheng/National Laboratory for Semiconductor Superlcttices and microstructures, Institute of Semiconductors, Academia Sinica,Beijing 100083Li Feng/National Laboratory for Semiconductor Superlcttices and microstructures, Institute of Semiconductors, Academia Sinica,Beijing 100083Wu Ronghan/National Laboratory for Semiconductor Superlcttices and microstructures, Institute of Semiconductors, Academia Sinica,Beijing 100083Zhou Junming/Laboratory for Molecule Beam Epitaxy (MBE).Institute of Physics, Academia Sinica, Beijing 100080Mei Xiaobing/Laboratory for Molecule Beam Epitaxy (MBE).Institute of Physics, Academia Sinica, Beijing 100080

【机构】 半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所； 中国科学院物理研究所分子束外延实验室； 中国科学院物理研究所分子束外延实验室 北京 100083； 北京 100083； 北京 100080； 北京 100080；

【摘要】 我们研究了GaAs/Ga0.7Al0.3As（35A/35A）超晶格p-i-n二极管在超晶格光吸收边附近的室温光电流随电压的变化。Wannier局域化导致的-1h和-2h激子跃迁产生两个光电流负微分电阻区。在由超晶格p-i-n二极管组成的SEED器件中实现了光电流（吸收）的双稳和三稳态跳变,特别是在无外偏压下也观测到了明显的光电流双稳跳变。

【Abstract】 We have studied bias-dependence of photocurrent response near GaAs/Ga0.7Al0.3As superlatticeabsorption edge in superlattice p-i-n diodes at room temperature. The-1h and -2h excitontransitions induced by Wannier localization produce two regions of negative differential photoconductivity.Photocurrent （absorption） electro-optical bistability and tristability have beenrealized in SEED devices composed of a superlattice p-i-n diode, and especially, obvious bistabilitytransitions have been observed in unbiased SEED devices.

【关键词】 GaAs/Ga； 超晶格； Al； 双稳； 吸收边； 跃迁能； 激子； 光波长； 光跃迁； 下降沿；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1993年04期
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