【作者】 谢自力； 陈宏毅； 陈小兵；
【机构】 南京电子器件研究所； 南京电子器件研究所 南京210016； 南京210016； 南京210016；
【摘要】 本文报道了整锭热退火对IEC-SI-GaAs单晶特性的影响.研究发现,在950℃温度和5小时条件下,对SI-GaAs单晶整锭热退火后,单晶的电阻率、迁移率、霍尔浓度、位错密度和电子陷阱El2浓度的分布均匀性有所改善,并且El2浓度和迁移率平均值经热退火后有所提高.更多还原
