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冠醚除钠的局限性

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【作者】 吴应前；

【机构】 四川大学物理系 成都610064；

【摘要】 本文分析了冠醚分子在SiO2层中造成的电场分布情况,证明冠醚除钠的有效深度不过1nm左右,因此只能清除半导体器件表面浅层的Na+沾污,对SiO2层深处的Na+并无作用.

【关键词】 冠醚； 半导体器件； 电场分布； 电势分布； 浅层； 电偶极子； 电场强度； 孔腔； 偶极矩； 金属离子；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1993年02期
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