【作者】 陈德英； 唐国洪； 花秀銮；
【机构】 东南大学； 东南大学；
【摘要】 采用SDB/SOI材料制备ISFET型pH传感器,减少了衬底漏电,从而改善了pH传感器的温漂、时漂等特性。这种结构对pH传感器是有实用意义的。更多还原
