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硅片的超显微硬度测量

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【作者】 蔡珣；

【机构】 上海交通大学；

【摘要】 针对Si片固有的脆性和半导体元件的徽型化,薄膜化,本文介绍了一种新型的试验力小于10-2N的超显微硬度测试方法,并对其硬度值与试验力之间的关系作了较详细的分析讨论.

【关键词】 超显微硬度； 硬度值； 试验力；
  • 【文献出处】 理化检验.物理分册 ,Physical Testing and Chemical Analysis (Part A:Physical Testing) , 编辑部邮箱 ,1992年06期
  • 【分类号】TN304.12
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