溴化银单晶半导体传感器的研制

【摘要】 <正> 我们研制的 AgBr 单晶溴离子敏感半导体传感器（简称 Br^--ISFET）它是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层 AgBr 单晶敏感层。这种传感器灵敏度高、稳定性好、使用寿命长,且与一般溴离子选择电极比较,具有全固体化和易集成化等特点。特别是适应于生物、医学、航天、遥测和遥控等方面。该传感器经测试性能良好,其线性响应范围为:1.0×10°mol·L^-1～1.0×10^-5mol·L^-1NaBr,灵敏度为:56mV/PBr^-,对溴离子的检测下限为:5.0×10^-6mol·L^-1NaBr。更多还原