节点文献

硅中氧的FTIR研究

FTIR STUDY OF OXYGEN IN SILICON

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 马碧兰； 朱景兵； 邬建根； 张继昌； 周寿通； 屈逢源；

【Author】 Ma Bilan, Zhu Jinbin, Wu Jiangen Zhang Jichang, Zhou Shoutong, Qu Fengyuan(Physics Department, Fudan University, Shanghai 200433, China;Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China;Physics Department,Tongji University, Shanghai 200092, China;Shanghai No. 17 Radio Factory, Shanghai 200010, China)

【机构】 复旦大学物理系； 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室； 同济大学物理系； 上海无线电十七厂； 复旦大学物理系 上海； 200433； 上海； 200083； 200092； 200010； 200433；

【摘要】 对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温（80～4.2K）下硅的红外吸收谱中1127cm-1处的吸收是硅中氧的吸收峰.

【Abstract】 Silicon crystals of different oxygen contents have been investigated by means ofinfrared absorption spectroscopy at 300K and 4.2K. It is seen from the experiments thatthe absorption band at 1127cm-1at low temperatures （804.2K） is due to oxygen absorp-tion.

【关键词】 硅； 氧； 红外吸收；
【Key words】 silicon； oxygen； infrared absorption.；
【基金】 红外物理国家重点实验室部分资助课题
  • 【文献出处】 红外与毫米波学报 ,Journal Infrared Millimeter and Waves , 编辑部邮箱 ,1992年04期
  • 【下载频次】89
打印本页
节点文献中：