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InAsPSb/InAs中红外光电探测器

InAsPSb/InAs Mid-Infrared Photodetectors

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【作者】 张永刚； 周平； 单宏坤； 潘慧珍；

【Author】 Zhang Yonggang/Microelectronics Branch, Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica.Shanghai,200233Zhou Ping/Microelectronics Branch, Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica.Shanghai,200233Shan Hongkun/Microelectronics Branch, Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica.Shanghai,200233Pan Huizhen/Microelectronics Branch, Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica.Shanghai,200233

【机构】 中国科学院上海冶金研究所微电子学分部； 中国科学院上海冶金研究所微电子学分部 上海200233； 上海200233； 上海200233；

【摘要】 本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外（1—3.2μm）光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4×109cmHz1/2/W,瞬态响应时间为1.2ns（FWHM）.

【Abstract】 The fabrication and characterization of epitaxial InAsPSb/InAs mid-infrared （1-3.2μm）photodetectors optimised for room temperature operation at the low loss wavelength window offluoride fibre is reported. Detectivity of 4×109 cm Hz1/2/W at 2.6μm and transient response timeof 1.2 nS（FWHM） at zero bias have been achieved at room temperature on the photodetectorswith PIN mesa structure.

【关键词】 光电探测器； InAsPSb/InAs； 中红外； 氟化物光纤； 外延工艺； 探测率； 晶格匹配； 响应度； 暗电流； 零偏；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1992年10期
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