节点文献

用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究

Study on Growth of Semiconducting β-FeSi2 Epitaxial Thin Films by Mass-Analyzed Low Energy Ion Beam Epitaxy

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 姚振钰； 任治璋； 王向明； 刘志凯； 黄大定； 秦复光； 林兰英；

【Author】 Yao Zhenyu/Institute of Semiconductors.Academia Sinica,Beijing,100083Ren Zhizhang/Institute of Semiconductors.Academia Sinica,Beijing,100083Wang Xiangming/Institute of Semiconductors.Academia Sinica,Beijing,100083Liu Zhikai/Institute of Semiconductors.Academia Sinica,Beijing,100083Huang Dading/Institute of Semiconductors.Academia Sinica,Beijing,100083Qin Fuguang/Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing,100083Lin Lanying/Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing,100083

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室； 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083； 北京100083； 北京100083；

【摘要】 采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为～0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm2V-1s-1,比文献报道高两个量级.

【Abstract】 Semiconducting β-FeSi2 epitaxial thin films have been grown hy Mass-Analyzed Low Energy lon Beam Epitaxy （MALE-IBE, or IBE） for the first time. The existance of β-FeSi2 epitaxialfilms and its stoichiometry are confirmed by RHEED and AES, respectively. Normal incidencespectral transmittance data showed a narrow direct energy gap of 0.84ev of Semiconductingβ-FeSi2. The Hall morbility μH is about 600 cm2·V-1S-1 at room temperature, which is the highestvalue achieved up to now as we know.

【关键词】 外延膜； FeSi2； 半导体性质； 禁带； 低能离子束； 霍耳迁移率； 多晶膜； 离子束溅射； 外延生长； 电子束蒸发；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1992年08期
  • 【被引频次】12
  • 【下载频次】50
打印本页
节点文献中：