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ELO/SOI膜上短沟道MOSFET的研究

Short-Channel MOSFETs on ELO/SOI

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【作者】 陈南翔； 张旭光； 张美云； 李映雪； 王阳元；

【Author】 Chen Nanxiang/Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,100871Zhang Xuguang/Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,100871Zhang Meiyun/Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,100871Li Yingxue/Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,100871Wang Yangyuan/Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,100871

【机构】 北京大学微电子学研究所； 北京大学微电子学研究所 北京100871； 北京100871； 北京100871；

【摘要】 在 ELO/SOI膜上制备出了短沟道 MOSFET.电子及空穴场效应迁移率分别为 360 cm2/V.s及 200 cm2/V.S.PMOS及 NMOS晶体管的亚阈值斜率分别为 190mV/dec和 220mV/dec,漏泄电流为10-10A/μm数量级.本文讨论了 SOI-MOSFET的器件特性.

【Abstract】 Short-channel MOSFETs have been fabricated on ELO/SOI structure. Electron and holefleld-effect mobilities of the MOSFETs are 360cm2/V.s and 200cm2/V.s, respectively. TheSub-threshod slopes are 190mV/dec （P-channel MOS） and 220mV/dec （N-channel MOS）,re-spectively. The leakage current is less than 10-10A/μm. The characteristics of MOSFET/SOIhave been discussed.

【关键词】 ELO/SOI； 场效应； 器件特性； NMOS； PMOS； 漏泄电流； 亚阈值； Insulator； 迁移率； 击穿电压；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1992年05期
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