节点文献

低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器

Low Threshold Current InGaAs-GaAs Strained Layer Quantum Well Laser

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 肖建伟； 徐俊英； 杨国文； 徐遵图； 张敬明； 陈良惠； 周小川； 蒋健； 钟战天；

【Author】 Xiao Jianwei/Institute of Semiconductors, Academia Sinica,Beijing.100083Xu Junying/Institute of Semiconductors, Academia Sinica,Beijing.100083Yang Guowen/Institute of Semiconductors, Academia Sinica,Beijing.100083Xu Zuntu/Institute of Semiconductors, Academia Sinica,Beijing.100083Zhang Jingming/Institute of Semiconductors, Academia Sinica,Beijing.100083Chen Lianghui/Institute of Semiconductors, Academia Sinica,Beijing.100083Zhou Xiaochuan/National Laboratory for Surface Physics,Academia Sinica,Beijing,100080Jiang Jian/National Laboratory for Surface Physics,Academia Sinica,Beijing,100080Zhong Zhantian/National Laboratory for Surface Physics,Academia Sinica,Beijing,100080

【机构】 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室； 中国科学院表面物理实验室； 中国科学院表面物理实验室 北京100083； 北京100083； 北京100080； 北京100080；

【摘要】 采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm~2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.

【Abstract】 Graded index separated confinement heterostructure strained layer multi-quantum-well(GRINSCH-STL-MQW) buried hererostructure (BH) lasers were fabricated by a hybrid mo-lecular beam epitaxy (MBE) and liquid phase epitaxy (LPE) technique. Low threshold cur-rent, 5.6 mA for an uncoated laser (L=120μm, CW, 20℃), was achieved with the MBE waferthreshold current density of 1 KA/cm~2. Lasing wavelength is 9386A. External quantum effic-iency as high as 0.48 mW/mA and more than 30 mW output power were obtained.

【关键词】 InGaAs-GaAs； 多量子阱； 阈值电流； 应变层； 激射波长； 输出功率； 腔长； 有源区； 外微分； 泵浦源；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1992年04期
  • 【下载频次】46
打印本页
节点文献中：