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选择性外延隔离P~+多晶硅栅PMOSFET

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【作者】 凌浩； 熊大菁；

【机构】 清华大学微电子研究所； 清华大学微电子研究所 北京 100084； 北京 100084；

【摘要】 在离子注入埋层的硅片上,以SiO2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延（SEG）单晶硅层,并在此外延层上制作了P+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。

【关键词】 硅栅； PMOSFET； 外延层； 沟道效应； 埋层； 阈值电压； 快速热退火； 低温退火； 栅长； 杂质分布；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1992年02期
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