【作者】 张继昌； 邬建根； 马碧兰； 屈逢源； 朱景兵；
【机构】 同济大学； 复旦大学； 中国科学院红外物理国家实验室；
【摘要】 高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm-1的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO2层中氧的恒定表面浓度扩散近似,得到样品中氧的计算值和实验值大致相符。更多还原
