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nμc-Si:H/SiO_x/Ag隧道背面接触对a-Si:H太阳能电池性能的影响

Effects of tunneling back contact of n μc-Si:H/SiO_x/Ag on Performances of a-Si:H Solar Cells

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【作者】 李海峰； 熊华； 刁宏伟； 郑怀德； 廖显伯；

【Author】 Li Haifeng/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing,100083Xiong Hua/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing,100083Diao Hongwei/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing,100083Zheng Huaide/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing,100083Liao Xianbo/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing,100083

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所 北京100083； 北京100083； 北京100083；

【摘要】 本文研究了用 nμc-Si:H/SiO_x/Ag结构取代 nμc-Si:H/Ag结构对 a-Si:H pin型单结太阳能电池光伏参数的影响,观测到这种电池的填充因子和短路电流有所改善,文中对这些参数改善的机制作出了解释.

【Abstract】 The effects of using n μc-Si:H/SiO_x/Ag (a MIS structure) instead of n μc-Si:H/Ag (a msstructure) as the back contact in a-Si:H pin s ngle junction solar cells on the photovoltaicparameters have been investigated.The short cilcuit current and fill factor of the solar cell areimproved, and the reasons for the improvements are discussed.

【关键词】 a-Si:H； 填充因子； 短路电流； 异质结； 串联电阻； 非晶硅； 隧道效应； 镜面反射； 界面态； 热蒸发；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1991年11期
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