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LP-MOVPE Ga1-xInxAs/InP量子阱结构材料

Ga1-xInxAs/InP Quantum Well Structure Grown by Low Pressure MOVPE

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【作者】 段树坤； 熊飞克； 李学斌； 李晶； 王玉田； 江德生； 徐俊英； 万寿科； 钱家骏；

【Author】 Duan Shukun/Institute of Semiconductors, Academia Sinica. Beijing, 100083Xiong Feike/Institute of Semiconductors, Academia Sinica. Beijing, 100083Li Xuebin/Institute of Semiconductors, Academia Sinica. Beijing, 100083Li Jing/Institute of Semiconductors, Academia Sinica. Beijing, 100083Wang Yutian/Institute of Semiconductors, Academia Sinica. Beijing, 100083Jiang Desheng/Institute of Semiconductors, Academia Sinica. Beijing, 100083Xu Junying/Institute of Semiconductors, Academia Sinica. Beijing, 100083Wan Shouke/Institute of Semiconductors, Academia Sinica. Beijing, 100083Qian Jiajun/Institute of Semiconductors, Academia Sinica. Beijing, 100083

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所 北京100083； 北京100083； 北京100083；

【摘要】 本文报道用低压金属有机化合物汽相外延（LP-MOVPE） 的方法生长了晶格匹配的Ga1-xIn4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都观测到因量子尺寸效应导致的带间跃迁向高能方向的移动.

【Abstract】 Lattice-matched Ga1-xInxAs/InP quantum well structures were grown by low pressuremetalorganic vapor phase epitaxy （LP-MOVPE）. Periodicity of the multi quantum well struc-tures and high quality of interfaces have been shown by X-ray double crystal diffraction andtransmission electron microscopy measurements. The shifts of the PL peaks to higher energiesinduced by quantum-size effect are observed. An exciton absorption peak is resolved ia 10Kabsorption spectrum.

【关键词】 量子阱结构； LP-MOVPE Ga； x)In_xAs/InP； 带间跃迁； 金属有机化合物； 阱宽； 汽相外延； 量子尺寸效应； 晶格匹配； 多量子阱；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1991年09期
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