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高温工艺对TiSi2/n+-Poly-Si复合栅MOS电容特性及TiSi2膜性质的影响

Effects of High Temperature Process on Characteristics of TiSi2/Poly-Si MOS Capacitor and TiSi2 Films

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【作者】 陶江； 武国英； 张国炳； 陈文茹； 王阳元；

【Author】 Tao Jiang/Institute of Microelectronics,Peking University, Beijing, 100871Wu Guoying/Institute of Microelectronics,Peking University, Beijing, 100871Zhang Guobing/Institute of Microelectronics,Peking University, Beijing, 100871Chen Wenru/Institute of Microelectronics,Peking University, Beijing, 100871Wang Yangyuan/Institute of Microelectronics,Peking University, Beijing, 100871

【机构】 北京大学微电子学研究所； 北京大学微电子学研究所 北京100871； 北京100871； 北京100871；

【摘要】 本文研究了高温退火过程对TiSi2/n+-POly-Si 复合栅MOS电容电学性能及TiSi2膜特性的影响.结果表明,当炉退火温度高于900℃时,TiSi2层厚度变的不均匀,甚至在某些地方不连续;TiSi2/n+Poly-Si 界面十分不平整;多晶硅中杂质外扩散十分严重; MOS电容的性能和电学参数变差.对于RTA过程,高温退火对MOS电容的电学特性没有产生不利影响,TiSi2膜仍很均匀.所以,在 TiSi2/Poly-Si复合栅结构工艺中,高温退火过程最好采用 RTA技术.

【Abstract】 Thermal stability of TiSi2 on polycrystalline silicon is investigated by cross-sectional tr-ansmission electron microscopy.The results show that when the additional furnace annealingtemperature is higher than 900℃, discontinuity of TiSi2 film, and a penetration of TiSi2 intopolycrystalline silicon layer occur,causing a rough TiSi2/poly-Si interface.The electricalproperty of TiSi2/poly-Si polycide MOS capacitor is worse than that of poly-Si gate MOS ca-pacitor.While for high temperature RTA process,no unfavorable effects are observed.

【关键词】 TiSi2/n； 电容特性； 高温退火； Poly-Si； MOS； 退火温度； 高温处理； 电学性能； 退火过程； 退火条件；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1991年06期
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