【作者】 王春艳； 孔梅影； 王玉田； 郑海群； 曾一平；
【机构】 中国科学院半导体所中国科学院半导体材料科学开放实验室 北京 100083；
【摘要】 利用光荧光和x射线双晶衍射分析方法,研究了MBE GaAs/GaP(001)外延层的能带结构和晶格参数。在外延层厚度大于监界厚度的情况下,GaAs外延层主要受到热膨胀系数不同所引起的张应力作用,这种双轴张应力使其晶格参数和能带结构发生变化。更多还原
