【作者】 何元金； 戴伦； 梁基本； 孔梅影；
【机构】 清华大学现代应用物理系； 中国科学院半导体所； 中国科学院半导体所 北京 100084； 北京 100083；
【摘要】 用慢正电子束测量了三种不同生长工艺的MBE GaAs薄膜。结果表明,正电子束发射产额参数F_L能反映薄膜的缺陷状况,结晶完整性差的薄膜其F_L值也较低。同时还发现,掺Si的n型GaAs在约600℃显著分解,该温度明显低于本征GaAs梓品开始分解的温度。更多还原
