【作者】 李思渊； 桑保生； 刘肃； 杨建红；
【机构】 兰州大学场感应器件研究所； 兰州大学场感应器件研究所 730001； 730001； 730001；
【摘要】 用硅/硅直接键合片(SDB)代替了高阻外延片成功地制造了新型电力器件双极型静电感应晶体管(BSIT),正向阻断电压800V以上,漏极输出电流2A,展示了SDB片广阔的应用前景。更多还原
