【作者】 王万录； 高锦英； 廖克俊；
【机构】 兰州大学物理系； 兰州大学物理系 730001； 730001；
【摘要】 实验研究表明,a-Si:H薄膜的光致发光谱随沉积条件,内应力的变化十分敏感。当射频功率、偏压及内应力增大时,发光峰值能量向低能方向移动,半宽带展宽,并且发光强度略有下降。文中对这些实验结果进行了解释。更多还原
