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结构改进的高压VDMOS功率晶体管

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【摘要】 本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。

  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1991年04期
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