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InGaAs/InP-SAGM-APD结构的液相外延生长研究

Research on LPE Growth for InGaAs/InP SAGM--APD

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【作者】 杨志鸿； 王树堂； 曾靖；

【Author】 Yang Zhihong;Wang Shutang;Zhen Jing Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science Beijing 100083

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所 北京 100083； 北京 100083；

【摘要】 本文讨论了InP/InGaAsP/InGaAs/InP SAGM-APD结构的抗回熔生长,并解决了InP在InGaAs上液相外延生长时的回熔问题。同时,研究了各外延层参数的控制。结果制得的器件,其最大雪崩倍增20,0.9V_B下暗电流14nA,响应度大于0.6A/W。

【Abstract】 The anti-meltback growth of InP/InGaAsP/InGaAs/InP layers for SAGM-APD is discussed. Problem of meltback during LPE growth of final InP on InGaAs is solved. The parameter control for each layer is investigated. As a result, SAGM-APD has maximum avalanch gain of 20, dark current of 14nA at 0.9V_B, and responsivity over 0.6A/W.

【关键词】 液相外延； 抗回熔； 外延层生长；
【Key words】 LPE； Anti--Meltback； Epitaxial Layer Growth；
  • 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,1991年02期
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