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CsI/Ni/LiF光电发射特性研究

A Study on Photoemission Characteristics of CsI/Ni/LiF.

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【作者】 徐登高刘元震

【Author】 Xu Denggao (Department of Optical and Electronic)et al..

【机构】 华东工学院光电技术系华东工学院光电技术系

【摘要】 本文用 H2水冷毛细管真空紫外辐射源对 CsI/Ni/LiF 半透明真空紫外光阴极进行了测试研究,得出该光阴极的伏安特性曲线,光阴极厚度与光电发射关系;测出真空紫外辐射源的工作特性.通过测试与计算得出 CsI/Ni/LiF 半透明光阴极的量子产额,利用对照测试法指出该阴极具有良好的“日盲”效应.

【Abstract】 Measurment and study of CsI/Ni/LiF semi- transparent VUV photocathode using the H2water cooled capillary VUV radiation source are presented in this paper.The VA property curves and the relation of photoemission VS photocathode thickness are given.And the operating property of VUV radiation source is ob- tained,Quantum yield of CsI/Ni/LiF semitransparent photocathode is given with the aid of measurement and calculation.The contrast measurement shows the better“solar blind”effect of the photocathode.

  • 【文献出处】 南京理工大学学报(自然科学版) ,Journal of Nanjing University Science and Technology(University of Science and Technology) , 编辑部邮箱 ,1990年02期
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