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完全锁模半导体激光器

Complete mode-locked semiconductor lasers

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【作者】 余尽； 高以智；

【Author】 Yu Jin, Gao Yizhi (Department of Electronics Engineering, Tsinghua University, Beijing)

【机构】 清华大学电子工程系； 清华大学电子工程系 100084； 100084；

【摘要】 本文对含F-P标准具的外腔半导体激光器进行了主动锁模研究。适当选择F-P标准具参数可形成单一的纵模群振荡,并可因此得到完全锁模光脉冲。实验中得到了脉宽为13.5ps、重复频率为925MHz的光脉冲输出。

【Abstract】 Complete active mode-locking have been achieved with a F-P etalon in a GaAs/GaAlAs semiconductor laser with external cavity and 13.5ps pulses without substructures at 925MHz repetition frequency have been obtained.

【关键词】 锁模； 半导体激光器；
【Key words】 mode locking； semicoduetor laser；
  • 【文献出处】 中国激光 ,Chinese Journal of Lasers , 编辑部邮箱 ,1990年11期
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