节点文献
多晶硅高温压力传感器
The High Temperature Polysilicon Pressure Sensor
【作者】
刘晓为;
张国威;
刘振茂;
郭青;
高家昌;
范茂军;
段治安;
崔光浩;
【Author】
Liu Xiaowei Zhang Guowei Liu Zhenmao Guo Qing (Harbin Institute of Technology) Gao Jiachang (Harbin Transistor Factory) Fan Maojun Duan zhian Cui Guanghao (The 49th Research Institute,Ministry of Machine-Building & Electronics Industry)
【机构】
哈尔滨工业大学;
哈尔滨晶体管厂;
机电部第49研究所;
机电部第49研究所;
【摘要】 <正> 一、前言 现代航空、汽车发动机以及石油化工领域常常需要对200℃以上高温范围的压力进行检测。200℃以上温度工作的高温压力传感器一般可采用SOS或绝缘衬底上多晶硅结构制作,因为多晶硅薄膜压阻元件可淀积在各种低成本衬底上,而且工艺简更多还原
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【文献出处】
传感器技术
,Journal of Transducer Technology
,
编辑部邮箱
,1990年05期
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【被引频次】7
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【下载频次】97