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Si~+和S~+注入SI-GaAs白光快速退火特性

THE CHARACTERISTICS OF RAPID THERMAL ANNEALING OF Si~+ AND S~+ IMPLANTED GaAs

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【作者】 李国辉； 朱德华； 张通和； 罗晏； 韩德俊；

【Author】 Li Guohui Zhu Dehua Zhang Tonghe Luo Yan Han Dejun (Institute of Low Energy Nuclear physics)

【机构】 北京师范大学低能核物理研究所； 北京师范大学低能核物理研究所；

【摘要】 研究了 Si~+和 S~+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si~+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使用 Si~+注入白光快速退火制作出了性能良好的全离子注入平面型 MESFET.

【Abstract】 The electrical characteristics of 29Si+ and 34S+ implanted GaAs are measured after light rapid thermal annealing（RTA）for durations of 2～10s at temperatures between 800～1000℃.Optimal conditions are 5s at 960℃ in N2 atmosphere The carrier concentration profiles of 34S+ and 29Si+ implanted samples are abrupt for optimal annealing conditions.The RTA is more aeva- ntageous than convertional furnace annealing.High guality MESFET of full ion implantetion are fabricated.

【关键词】 Si~+和S~+注入GaAs； 白光快速退火； 载流子陡峭剖面分布；
【Key words】 Si~+； S~+ implanted into GaAs； light rapid thermal annealing； abrupt carrier profile；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 北京师范大学学报(自然科学版) ,Journal of Beijing Normal University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,1990年04期
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