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电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度

Minority Carrier Diffusion Length Measurements in n-and p-GaAs by Electrochemical Photovoltage Method

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【作者】 王周成； 彭瑞伍； 彭承； 孙恒慧；

【Author】 Wang Zhoucheng/Fujian Institute of Research on Structure of Matter, Academia SinicaPeng Ruiwu/Shanghai Institute of Metallurgy. Academia ScnicaPeng Cheng/Department of Physics, Fudan UniversitySun Henghui/Department of Physics, Fudan University

【机构】 中国科学院福建物质结构研究所； 中国科学院上海冶金研究所； 复旦大学物理系； 复旦大学物理系 上海； 上海；

【摘要】 从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测定了n-和p-GaAs体单晶及外延层的少子扩散长度。

【Abstract】 On the basis of electrochemical study on GaAs/electrotyte junction, a new photoelectrochemicalmethod, electrochemical photovoltage method, is reported for the determination of minoritycarrier diffusion length in compound semiconductors.The method has been successfully usedto determine the minority carrier diffusion length in n- and p-GaAs.

【关键词】 电化学光伏法； GaAs； 少子扩散长度；
【Key words】 Electrochemical photovoltage method； GaAs； Minority carrier diffusion length；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1990年08期
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